晶體結構解析：單晶與多晶差異及缺陷分類詳解

深入解析晶體結構第二部分：探討單晶與多晶的區別。

在晶體學中，我們首先認識兩種基本的晶體形態。所謂單晶，是指原子或離子沿著三個相互垂直的方向按照一定的周期性規律排列和堆疊而成的有序結構體。與之相對的是多晶，它是由多個這樣的單晶顆粒組成的復雜結構。

接下來，讓我們來了解晶體缺陷的分類。

首先，我們來看點缺陷，這是指在晶體中存在的原子或離子位置的缺失或者空位等微小結構變化。

1. 肖特基缺陷（Schottky defect）：這種缺陷是由于晶體表面的原子因熱震動而脫離平衡位置，形成了一個空缺。

2. 弗倫克爾缺陷（Frenkel defect）：在這種缺陷中，晶體內部的原子因熱震動而離開原來的位置，進入了附近的空隙中，從而在原位置留下了空位。

接下來是線缺陷，這些缺陷表現為線性排列的結構變化，如位錯等。

1. 刃位錯（edge dislocation）：這種類型的位錯只有一個滑移平面，即包含位錯線和伯格斯矢量的平面。

2. 混合位錯：由于位錯線和伯格斯矢量既不平行也不垂直，因此具有一個唯一的滑移平面。

3. 伯格斯回路：在有缺陷的晶體中，圍繞缺陷原子形成的封閉回路，所增加的向量為伯格斯矢量。

4. 刃位錯攀移（Climb）：位錯線上的原子擴散到晶體中的其他缺陷處，如空位或晶界，導致半原子面縮小。

5. 位錯線的正攀移和負攀移：位錯線沿滑移面的法線方向上升或下降。高溫下由于空位數量的增加，攀移速度比低溫下更快。

6. 螺位錯（right-handed）：位錯線平行于滑GGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGG

(責任編輯：佚名)