晶體結(jié)構(gòu)解析：單晶與多晶差異及缺陷分類詳解

深入解析晶體結(jié)構(gòu)第二部分：探討單晶與多晶的區(qū)別。

在晶體學(xué)中，我們首先認識兩種基本的晶體形態(tài)。所謂單晶，是指原子或離子沿著三個相互垂直的方向按照一定的周期性規(guī)律排列和堆疊而成的有序結(jié)構(gòu)體。與之相對的是多晶，它是由多個這樣的單晶顆粒組成的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。

接下來，讓我們來了解晶體缺陷的分類。

首先，我們來看點缺陷，這是指在晶體中存在的原子或離子位置的缺失或者空位等微小結(jié)構(gòu)變化。

1. 肖特基缺陷（Schottky defect）：這種缺陷是由于晶體表面的原子因熱震動而脫離平衡位置，形成了一個空缺。

2. 弗倫克爾缺陷（Frenkel defect）：在這種缺陷中，晶體內(nèi)部的原子因熱震動而離開原來的位置，進入了附近的空隙中，從而在原位置留下了空位。

接下來是線缺陷，這些缺陷表現(xiàn)為線性排列的結(jié)構(gòu)變化，如位錯等。

1. 刃位錯（edge dislocation）：這種類型的位錯只有一個滑移平面，即包含位錯線和伯格斯矢量的平面。

2. 混合位錯：由于位錯線和伯格斯矢量既不平行也不垂直，因此具有一個唯一的滑移平面。

3. 伯格斯回路：在有缺陷的晶體中，圍繞缺陷原子形成的封閉回路，所增加的向量為伯格斯矢量。

4. 刃位錯攀移（Climb）：位錯線上的原子擴散到晶體中的其他缺陷處，如空位或晶界，導(dǎo)致半原子面縮小。

5. 位錯線的正攀移和負攀移：位錯線沿滑移面的法線方向上升或下降。高溫下由于空位數(shù)量的增加，攀移速度比低溫下更快。

6. 螺位錯（right-handed）：位錯線平行于滑GGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGGG

(責(zé)任編輯：佚名)